وزارة التعليم العالي و البحث العلمي

Ministry of Higher Education and Scientific Research

جاري تحميل اخر الاخبار ...

2020/09/14 | 03:16:11 مساءً | : 109

دراسة مشتركة بين جامعتي المستنصرية والتكنولوجية تتمكن من تصنيع وتوصيف كاشف ضوئي عالي الحساسية

تمكنت دراسة علمية، أعدّها فريق بحثي مشترك في جامعتي المستنصرية والتكنولوجية، من تصنيع وتوصيف كاشف المفرق الهجيني الضوئي (CuS/PSi)  عالي الحساسية للضوء.

وتهدف الدراسة المكون فريقها البحثي من التدريسي بالجامعة المستنصرية الدكتور حسن عبد الصاحب هادي، والتدريسي بالجامعة التكنولوجية الدكتور رائد عبد الوهاب إسماعيل، والباحثة سراب تاج الدين، إلى تصنيع وتوصيف الكاشف الضوئي (CuS/PSi)، الذي تم تحضيره عبر ترسيب غشاء كبريتيد النحاس (CuS) كيميائياً على السيليكون المسامي (PSi) المحضر بطريقة الأنودة (التنميش الكهروكيميائي).

وتضمنت الدراسة التي تم نشرها في مجلة أوبتك العالمية المصنفة ضمن مستوعب سكوباس، فحص غشاء كبريتيد النحاس وطبقة السيليكون المسامي، بإستعمال حيود الأشعة السينية، والمجهر الإلكتروني (SEM)، والأشعة السينية المشتتة للطاقة (EDX)، والمجهر الذري (AFM)، والإمتصاص البصري للأشعة فوق البنفسجية، وقياس خصائص الإلكترونيات الضوئية للكاشف المحضر، والتي تشمل (I-V) المظلمة والمضيئة، والاستجابة الطيفية، وكفاءة الكم والكشفية، وذلك عند درجة حرارة  الغرفة.

وتوصلت نتائج الدراسة إلى أن الكاشف الضوئي المحضر (CuS/PSi)، يمتلك قياسات استجابة عالية، لمدى واسع من الأطوال الموجية، إذ كانت ذروة الاستجابة عند الطول الموجي (500 نانومتر) وبلغت (2.15) A / W.

وللإطلاع على الدراسة إضغط هنا.

دراسة مشتركة بين جامعتي المستنصرية والتكنولوجية تتمكن من تصنيع وتوصيف كاشف ضوئي عالي الحساسية

دراسة مشتركة بين جامعتي المستنصرية والتكنولوجية تتمكن من تصنيع وتوصيف كاشف ضوئي عالي الحساسية
دراسة مشتركة بين جامعتي المستنصرية والتكنولوجية تتمكن من تصنيع وتوصيف كاشف ضوئي عالي الحساسية

تمكنت دراسة علمية، أعدّها فريق بحثي مشترك في جامعتي المستنصرية والتكنولوجية، من تصنيع وتوصيف كاشف المفرق الهجيني الضوئي (CuS/PSi)  عالي الحساسية للضوء.

وتهدف الدراسة المكون فريقها البحثي من التدريسي بالجامعة المستنصرية الدكتور حسن عبد الصاحب هادي، والتدريسي بالجامعة التكنولوجية الدكتور رائد عبد الوهاب إسماعيل، والباحثة سراب تاج الدين، إلى تصنيع وتوصيف الكاشف الضوئي (CuS/PSi)، الذي تم تحضيره عبر ترسيب غشاء كبريتيد النحاس (CuS) كيميائياً على السيليكون المسامي (PSi) المحضر بطريقة الأنودة (التنميش الكهروكيميائي).

وتضمنت الدراسة التي تم نشرها في مجلة أوبتك العالمية المصنفة ضمن مستوعب سكوباس، فحص غشاء كبريتيد النحاس وطبقة السيليكون المسامي، بإستعمال حيود الأشعة السينية، والمجهر الإلكتروني (SEM)، والأشعة السينية المشتتة للطاقة (EDX)، والمجهر الذري (AFM)، والإمتصاص البصري للأشعة فوق البنفسجية، وقياس خصائص الإلكترونيات الضوئية للكاشف المحضر، والتي تشمل (I-V) المظلمة والمضيئة، والاستجابة الطيفية، وكفاءة الكم والكشفية، وذلك عند درجة حرارة  الغرفة.

وتوصلت نتائج الدراسة إلى أن الكاشف الضوئي المحضر (CuS/PSi)، يمتلك قياسات استجابة عالية، لمدى واسع من الأطوال الموجية، إذ كانت ذروة الاستجابة عند الطول الموجي (500 نانومتر) وبلغت (2.15) A / W.

وللإطلاع على الدراسة إضغط هنا.

مشاركة الموضوع عبر Facebook Twitter Email Print
>